首页 > 商品目录 > > > > BSS84PH6327XTSA2代替型号比较

BSS84PH6327XTSA2  与  BSS84-7-F  区别

型号 BSS84PH6327XTSA2 BSS84-7-F
唯样编号 A-BSS84PH6327XTSA2 A3-BSS84-7-F
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10Ω@100mA,5V
Qg-栅极电荷 - 0.28nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 19pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 0.05S
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 130mA
配置 - Single
长度 - 2.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 8 欧姆 @ 170mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V
高度 - 1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 50V
Pd-功率耗散(Max) - 300mW
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 P 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 20uA -
系列 - BSS84
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 45pF @ 25V
25°C时电流-连续漏极(Id) 170mA(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 10ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS84PH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS84P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 当前型号
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

¥0.4802 

阶梯数 价格
490: ¥0.4802
1,000: ¥0.3557
1,500: ¥0.2964
3,000: ¥0.2316
0 对比
BSS84-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23-3 2.9mm

暂无价格 0 对比
BSS84PH6433XTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS84P H6433_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS84P H6433 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS84PH6433XTMA1_2.9mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售