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DMG4413LSS-13  与  FDS6681Z  区别

型号 DMG4413LSS-13 FDS6681Z
唯样编号 A-DMG4413LSS-13 A-FDS6681Z
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.7W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@13A,10V 4.6mΩ@-20A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOP SOIC-8
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 12A -20A
系列 DMG -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4965pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

SOP

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