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DMN6040SSD-13  与  IRF7380TRPBF  区别

型号 DMN6040SSD-13 IRF7380TRPBF
唯样编号 A-DMN6040SSD-13 A3-IRF7380TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-Channel 80 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
正向跨导-最小值 4.5 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ 73mΩ
上升时间 8.1ns 10ns
Qg-栅极电荷 22.4nC 15nC
栅极电压Vgs 1V 20V
正向跨导 - 最小值 4.5S 4.3S
封装/外壳 SO SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 3.6A
配置 Dual Dual
长度 - 4.9mm
下降时间 4ns 17ns
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 60V 80V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2W
典型关闭延迟时间 20.1ns 41ns
FET类型 2N-Channel 2N-Channel
系列 DMN6040 HEXFET®
通道数量 2Channel 2Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1287pF @ 25V 660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V 23nC @ 10V
典型接通延迟时间 6.6ns 9ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 当前型号
IRF7341PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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