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DMNH10H028SK3-13  与  IRFR3410TRPBF  区别

型号 DMNH10H028SK3-13 IRFR3410TRPBF
唯样编号 A-DMNH10H028SK3-13 A-IRFR3410TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 55A TO252 N-Channel 100 V 39 mOhm 56 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 39mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3W(Ta),110W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 28mΩ@20A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2245 pF @ 50 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 36 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 D-Pak
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 55A(Tc) 31A
系列 - HEXFET®
驱动电压 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1690pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 56nC @ 10V
库存与单价
库存 0 2,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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