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DMP2100U-7  与  IRLML6401TRPBF  区别

型号 DMP2100U-7 IRLML6401TRPBF
唯样编号 A-DMP2100U-7 A-IRLML6401TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.3A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 12V
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 38mΩ@3.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 216 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±10V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.1 nC @ 4.5 V -
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A(Ta) 4.3A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 10V
驱动电压 1.8V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 1.8V,4.5V
库存与单价
库存 0 3,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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