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FDS4480  与  IRF7468TRPBF  区别

型号 FDS4480 IRF7468TRPBF
唯样编号 A-FDS4480 A-IRF7468TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 40 V 12 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8 Single HexFet 40 V 2.5 W 34 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12m Ohms@10.8A,10V 15.5mΩ@9.4A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs +30V,-20V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 10.8A 9.4A
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1686pF @ 20V 2460pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V 34nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2460pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 34nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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