首页 > 商品目录 > > > > IPI47N10SL26AKSA1代替型号比较

IPI47N10SL26AKSA1  与  IRF540ZLPBF  区别

型号 IPI47N10SL26AKSA1 IRF540ZLPBF
唯样编号 A-IPI47N10SL26AKSA1 A-IRF540ZLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3 Single N-Channel 100 V 92 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-262
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 175W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26.5mΩ@22A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA TO-262
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 135nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 36A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 26 毫欧 @ 33A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 92W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 2mA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 47A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 63nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPI47N10SL26AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPI47N10SL-26_TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

暂无价格 0 当前型号
IRF540ZLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-262

暂无价格 0 对比
IRF540NLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-262

暂无价格 0 对比
IRF540NL Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO262

暂无价格 0 对比
IRF540ZL Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO262

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售