首页 > 商品目录 > > > > IRF7205TRPBF代替型号比较

IRF7205TRPBF  与  AO4459  区别

型号 IRF7205TRPBF AO4459
唯样编号 A-IRF7205TRPBF A-AO4459
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 0.13 Ohm 40 nC 2.5W Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 65
Rds On(Max)@Id,Vgs 70mΩ@4.6A,10V 46mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 72mΩ
Qgd(nC) - 2.2
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 7.5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 4.6A -6.5A
Ciss(pF) - 520
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 11
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Tc) 3.1W
Qrr(nC) - 5.3
VGS(th) - -2.4
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 870pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
Coss(pF) - 100
Qg*(nC) - 4.6
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
480+ :  ¥1.6022
1,000+ :  ¥1.2607
1,500+ :  ¥0.986
3,000+ :  ¥0.769
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7205TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 当前型号
DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

4.95mm SOP

暂无价格 10,000 对比
AO4459 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥1.6022 

阶梯数 价格
480: ¥1.6022
1,000: ¥1.2607
1,500: ¥0.986
3,000: ¥0.769
0 对比
DMP3098LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

4.95mm SOP

暂无价格 0 对比
AO4771L AOS  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
DI9405T Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售