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IRF7473TRPBF  与  FDS3572  区别

型号 IRF7473TRPBF FDS3572
唯样编号 A-IRF7473TRPBF A-FDS3572
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 N-Channel 80 V 16 mOhm 2.5 W Surface Mount PowerTrench MosFet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 26mΩ@4.1A,10V 16m Ohms@8.9A,10V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 8.9A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 25V 1990pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 61nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3180pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 61nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7473TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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