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IRFP250NPBF  与  IRFP250MPBF  区别

型号 IRFP250NPBF IRFP250MPBF
唯样编号 A-IRFP250NPBF A-IRFP250MPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 214 W 123 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC N-Channel 200 V 214 W 123 nC Through Hole Hexfet Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@18A,10V 75mΩ@18A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 214W(Tc) 214W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 30A 30A
系列 HEXFET® HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2159pF @ 25V 2159pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V 123nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2159pF @ 25V 2159pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 123nC @ 10V 123nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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