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IRFS7530TRL7PP  与  IPB180N06S4H1ATMA1  区别

型号 IRFS7530TRL7PP IPB180N06S4H1ATMA1
唯样编号 A-IRFS7530TRL7PP A-IPB180N06S4H1ATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N Channel 60 V 1.4 mOhm 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK-7 MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ@100A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 21900pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 D2PAK TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 338A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 270nC @ 10V
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 12960pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 354nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.7 毫欧 @ 100A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 180A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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