首页 > 商品目录 > > > > IRLR2905TRPBF代替型号比较

IRLR2905TRPBF  与  STD30NF06LT4  区别

型号 IRLR2905TRPBF STD30NF06LT4
唯样编号 A-IRLR2905TRPBF A-STD30NF06LT4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 40 mOhm 30 nC 110 W Surface Mount Mosfet - TO-252AA MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 27mΩ@25A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) -
栅极电压Vgs ±16V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 D-Pak TO-252-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 42A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1700pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 48nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR2905TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 10,000 对比
STD60NF55LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 5,000 对比
STD30NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
IPD30N06S2L23ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售