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PHB47NQ10T,118  与  FQB55N10TM  区别

型号 PHB47NQ10T,118 FQB55N10TM
唯样编号 A-PHB47NQ10T,118 A-FQB55N10TM
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK N-Channel 100 V 0.026 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 3.75W(Ta),155W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 26 毫欧 @ 27.5A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 166W 3.75W(Ta),155W(Tc)
输出电容 315pF -
栅极电压Vgs 3V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 47A 55A
系列 - QFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
输入电容 2320pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2730pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 28mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2730pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
210+ :  ¥9.3848
400+ :  ¥7.9532
800+ :  ¥7.2965
暂无价格
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