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PSMN005-75P,127  与  IRFB3306PBF  区别

型号 PSMN005-75P,127 IRFB3306PBF
唯样编号 A-PSMN005-75P,127 A-IRFB3306PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.2mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 75V 60V
Pd-功率耗散(Max) 230W 230W(Tc)
输出电容 920pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT78 TO-220AB
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 75A 160A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
输入电容 8250pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
Rds On(max)@Id,Vgs 5mΩ@10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4520pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥18.1506
50+ :  ¥14.8775
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78

¥18.1506 

阶梯数 价格
20: ¥18.1506
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