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PSMN4R2-60PLQ  与  IPP052N06L3GXKSA1  区别

型号 PSMN4R2-60PLQ IPP052N06L3GXKSA1
唯样编号 A-PSMN4R2-60PLQ A-IPP052N06L3GXKSA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 115W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 263W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 8400pF @ 30V
输出电容 703pF -
栅极电压Vgs 1.7V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT78 TO-220-3
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 130A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 58uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 50nC @ 4.5V
输入电容 8533pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 毫欧 @ 80A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 3.9mΩ@10V,4.3mΩ@4.5V -
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥15.9048
50+ :  ¥13.0367
暂无价格
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