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RH6R025BHTB1  与  SISA88DN-T1-GE3  区别

型号 RH6R025BHTB1 SISA88DN-T1-GE3
唯样编号 A-RH6R025BHTB1 A-SISA88DN-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 PowerPAK® 1212-8
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 25A 16.2A(Ta),40.5A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ@25A,10V 6.7 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds 150V 30V
Pd-功率耗散(Max) 59W 3.2W(Ta),19.8W(Tc)
Vgs(最大值) - +20V,-16V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥10.0366
100+ :  ¥5.0183
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6R025BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥10.0366 

阶梯数 价格
1: ¥10.0366
100: ¥5.0183
100 当前型号
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SISA88DN-T1-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

PowerPAK®1212-8

暂无价格 0 对比

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