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RSS065N03TB  与  IRF7807  区别

型号 RSS065N03TB IRF7807
唯样编号 A-RSS065N03TB A-IRF7807
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 25mΩ@7A,4.5V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 10V -
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-SOP SO8
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 8.3A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 26 毫欧 @ 6.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 6.5A(Ta) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 5V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.1nC @ 5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSS065N03TB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOP

暂无价格 0 当前型号
IRF7807 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比

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