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SI2301CDS-T1-GE3  与  DMG3413L-7  区别

型号 SI2301CDS-T1-GE3 DMG3413L-7
唯样编号 A-SI2301CDS-T1-GE3 A3-DMG3413L-7
制造商 Vishay Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 112mΩ@2.8A,4.5V -
漏源极电压Vds -20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 860mW(Ta),1.6W(Tc) 700mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 95mΩ@3A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 857 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9 nC @ 4.5 V
封装/外壳 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id -3.1A 3A(Ta)
系列 SI -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.8V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 405pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
库存与单价
库存 601 3,000
工厂交货期 3 - 5天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
10: ¥0.7526
100: ¥0.5575
1,000: ¥0.4322
1,500: ¥0.3543
3,000: ¥0.3135
400 对比

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