首页 > 商品目录 > > > > STB60NF06LT4代替型号比较

STB60NF06LT4  与  PSMN015-60BS,118  区别

型号 STB60NF06LT4 PSMN015-60BS,118
唯样编号 A-STB60NF06LT4 A-PSMN015-60BS,118
制造商 STMicroelectronics Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 9.35 mm -
正向跨导-最小值 20 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 14mΩ@30A,10V -
上升时间 220 ns -
栅极电压Vgs ±15V 3V
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -65°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 60A 50A
配置 Single -
长度 10.4 mm -
输入电容 - 1220pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
下降时间 30 ns -
高度 4.6 mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 110W(Tc) 86W
输出电容 - 169pF
典型关闭延迟时间 55 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 STB -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 4.5V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 14.8mΩ@10V
典型接通延迟时间 35 ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥6.7795
400+ :  ¥5.7453
800+ :  ¥5.2709
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB60NF06LT4 STMicro  数据手册 功率MOSFET

10.4mm D2PAK

暂无价格 0 当前型号
PSMN015-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN015-60BS_SOT404

¥6.7795 

阶梯数 价格
210: ¥6.7795
400: ¥5.7453
800: ¥5.2709
0 对比
IRF1010ES Infineon  数据手册 通用MOSFET

D2PAK(TO-263)

暂无价格 0 对比
AUIRFS3806TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1010ZSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRFZ48VS Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售