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STP100N6F7  与  IRFB7540PBF  区别

型号 STP100N6F7 IRFB7540PBF
唯样编号 A-STP100N6F7 A-IRFB7540PBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A TO220 N Channel 60 V 5.1 mO 160 W Flange Mount HexFet Power MosFet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.1mΩ@65A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 160W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 110A
系列 - HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4555pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4555pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 10V
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP100N6F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
STP80N6F6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 2,000 对比
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TO-220

暂无价格 1,000 对比
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