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ZXM62P02E6TA  与  IRLMS6702TRPBF  区别

型号 ZXM62P02E6TA IRLMS6702TRPBF
唯样编号 A-ZXM62P02E6TA A-IRLMS6702TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6 Single P-Channel 20 V 0.375 Ohm 8.8 nC 1.7 W Generation V SMT Mosfet - MICRO-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@1.6A,4.5V 200mΩ@1.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.1W(Ta) 1.7W(Ta)
栅极电压Vgs ±12V ±12V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-23 Micro6™(TSOP-6)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.3A 2.4A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 320pF @ 15V 210pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.8nC @ 4.5V 8.8nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V 2.7V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 700mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 210pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.8nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
AO6415 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.0256 

阶梯数 价格
1: ¥1.0256
100: ¥0.8163
1,000: ¥0.5882
1,500: ¥0.5063
3,000: ¥0.4
3,000 对比
IRLMS6702TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro6™(TSOP-6)

暂无价格 0 对比

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