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ZXMN6A08KTC  与  RSD050N06TL  区别

型号 ZXMN6A08KTC RSD050N06TL
唯样编号 A-ZXMN6A08KTC A-RSD050N06TL
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3 MOSFET N-CH 60V 5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 15W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 2.12W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 80mΩ@4.8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 459 pF @ 40 V 290pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 5.8 nC @ 10 V -
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.36A(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 109 毫欧 @ 5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 8nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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