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ZXMN6A11GTA  与  IRLL014NTRPBF  区别

型号 ZXMN6A11GTA IRLL014NTRPBF
唯样编号 A-ZXMN6A11GTA A-IRLL014NTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 ZXMN6A11G Series 60 V 0.12 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 120mΩ@2.5A,10V 140mΩ@2A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.4A 2.8A
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 40V 230pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.7nC @ 10V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 230pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 14nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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