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DMN6040SSD-13  与  IRF7341TRPBF  区别

型号 DMN6040SSD-13 IRF7341TRPBF
唯样编号 A3-DMN6040SSD-13 A3-IRF7341TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 4.5 S -
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ 50mΩ@4.7A,10V
上升时间 8.1ns -
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 1.7W 2W
Qg-栅极电荷 22.4nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 20.1ns -
正向跨导 - 最小值 4.5S -
FET类型 2N-Channel N-Channel
封装/外壳 SO SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5A 4.7A
配置 Dual -
系列 DMN6040 HEXFET®
通道数量 2Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1287pF @ 25V 740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.4nC @ 10V 36nC @ 10V
下降时间 4ns -
典型接通延迟时间 6.6ns -
库存与单价
库存 5,250 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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