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DMN6069SFG-7  与  DMN6069SFG-13  区别

型号 DMN6069SFG-7 DMN6069SFG-13
唯样编号 A3-DMN6069SFG-7 A-DMN6069SFG-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 63mΩ -
上升时间 5ns -
Qg-栅极电荷 14nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1480 pF @ 30 V
栅极电压Vgs 1V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerWDFN PowerDI3333-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 18A 5.6A(Ta),18A(Tc)
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 3.3ns -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 930mW 930mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.5A,10V
典型关闭延迟时间 12ns -
FET类型 - N-Channel
系列 DMN6069 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1480pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
典型接通延迟时间 3.6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

8-PowerWDFN

暂无价格 0 当前型号
AON7446 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

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