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DMP3036SSS-13  与  IRF9393PBF  区别

型号 DMP3036SSS-13 IRF9393PBF
唯样编号 A3-DMP3036SSS-13 A-IRF9393PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@9A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.4W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1110pF @ 25V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11.4A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 25uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 38nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1931pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 13.3 毫欧 @ 9.2A,20V
Vgs(最大值) - ±25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.2A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V,20V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP3036SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

暂无价格 0 当前型号
AO4419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.5734 

阶梯数 价格
480: ¥2.5734
1,000: ¥2.025
1,500: ¥1.5836
3,000: ¥1.2352
0 对比
AUIRF7416QTR Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

暂无价格 0 对比
IRF9393PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比
DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

暂无价格 0 对比
IRF7416PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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