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DMP3056LDM-7  与  DMP3056LDMQ-7  区别

型号 DMP3056LDM-7 DMP3056LDMQ-7
唯样编号 A3-DMP3056LDM-7 A-DMP3056LDMQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 P Channel 30 V 65 mO 1.5 W 10.1 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-26 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.25W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 45mΩ@5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 948 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 21.1 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-26 SOT-26
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 4.3A 4.3A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 948pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21.1nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 32,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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