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RF4P060BGTCR  与  SSM6K341NU,LF  区别

型号 RF4P060BGTCR SSM6K341NU,LF
唯样编号 A3-RF4P060BGTCR A-SSM6K341NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 6A, HUML2020L8, Power MOSFET MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 36 毫欧 @ 4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 550 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 100uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.3 nC @ 10 V
封装/外壳 HUML2020L8 (Single) 6-UDFNB(2x2)
工作温度 - 150°C
连续漏极电流Id - 6A(Ta)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RF4P060BGTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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1,500: ¥0.2896
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15,002 对比
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10: ¥2.3794
100: ¥1.7625
1,000: ¥1.3663
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10: ¥2.1168
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1,000: ¥1.2155
1,500: ¥0.9963
3,000: ¥0.8976
58 对比

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