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RQ3L050GNTB  与  DMN6069SFGQ-7  区别

型号 RQ3L050GNTB DMN6069SFGQ-7
唯样编号 A3-RQ3L050GNTB A-DMN6069SFGQ-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 61mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 14.8W(Tc) 2.4W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1480 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 12A(Tc) 18A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 177 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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