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STD2HNK60Z  与  AOD2N60A  区别

型号 STD2HNK60Z AOD2N60A
唯样编号 A3-STD2HNK60Z A-AOD2N60A
制造商 STMicroelectronics AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 4.8 Ohm Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.3
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.8Ω@1A,10V 4700mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 1.8
栅极电压Vgs ±30V 30V
Td(on)(ns) - 16
封装/外壳 DPAK TO-252
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2A 2A
Ciss(pF) - 295
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 268
Td(off)(ns) - 28
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 57W
Qrr(nC) - 1600
VGS(th) - 4.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SuperMESH™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 280pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 10V -
Coss(pF) - 30
Qg*(nC) - 6.5*
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD2HNK60Z STMicro  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 15,000 当前型号
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD60R3K3C6_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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AOD2N60A AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

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