首页 > 商品目录 > > > > STP38N65M5代替型号比较

STP38N65M5  与  IPP65R095C7  区别

型号 STP38N65M5 IPP65R095C7
唯样编号 A3-STP38N65M5 A-IPP65R095C7
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 30A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 84mΩ
上升时间 - 12ns
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 128W
Qg-栅极电荷 - 45nC
栅极电压Vgs - 20V
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 -
连续漏极电流Id - 24A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC7
长度 - 10mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 550 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP38N65M5 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 550 当前型号
AOT42S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥35.2728 

阶梯数 价格
1: ¥35.2728
25: ¥28.98
50: ¥23.7636
549 对比
TK31E60X,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
IPP65R095C7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R095C7_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP60R090CFD7 Infineon  数据手册 通用MOSFET

IPP60R090CFD7XKSA1_TO-220

暂无价格 0 对比
IPP65R095C7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R095C7XKSA1_10mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售