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STP80NF55-08  与  IRF1018EPBF  区别

型号 STP80NF55-08 IRF1018EPBF
唯样编号 A3-STP80NF55-08 A-IRF1018EPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB Single N-Channel 60 V 110 W 46 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.4mΩ@47A,10V
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 110W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 79A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2290pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 69nC @ 10V
库存与单价
库存 550 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STP80NF55-08 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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