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IRF1010ZPBF  与  STP80NF55-08  区别

型号 IRF1010ZPBF STP80NF55-08
唯样编号 B-IRF1010ZPBF-2 A3-STP80NF55-08
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 55V -
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 94A -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,550 550
工厂交货期 21 - 42天 5 - 7天
单价(含税)
50+ :  ¥7.6725
200+ :  ¥7.347
750+ :  ¥7.0215
2,000+ :  ¥6.8355
5,000+ :  ¥6.4635
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥7.6725 

阶梯数 价格
50: ¥7.6725
200: ¥7.347
750: ¥7.0215
2,000: ¥6.8355
5,000: ¥6.4635
1,550 当前型号
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