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IRF2804STRLPBF  与  BUK762R0-40E,118  区别

型号 IRF2804STRLPBF BUK762R0-40E,118
唯样编号 B-IRF2804STRLPBF-2 A-BUK762R0-40E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 330 W 160 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 293W
输出电容 - 1210pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 280A 120A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF @ 25V -
输入电容 - 6250pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 2mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6450pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 240nC -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥16.461
1,600+ :  ¥16.182
2,400+ :  ¥16.089
3,200+ :  ¥15.903
180+ :  ¥26.4688
400+ :  ¥20.6787
800+ :  ¥16.9498
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2804STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥16.461 

阶梯数 价格
800: ¥16.461
1,600: ¥16.182
2,400: ¥16.089
3,200: ¥15.903
0 当前型号
BUK762R0-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK762R0-40E_SOT404

¥26.4688 

阶梯数 价格
180: ¥26.4688
400: ¥20.6787
800: ¥16.9498
0 对比
IPB120N06S402ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
BUK962R6-40E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK962R6-40E_SOT404

¥15.7788 

阶梯数 价格
210: ¥15.7788
400: ¥13.3719
800: ¥12.2678
0 对比
STB100NF04T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比

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