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IRF3205STRLPBF  与  BUK9608-55A,118  区别

型号 IRF3205STRLPBF BUK9608-55A,118
唯样编号 B-IRF3205STRLPBF-2 A-BUK9608-55A,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ@62A,10V -
漏源极电压Vds 55V 55V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 253W
输出电容 - 760pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 110A 75A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
输入电容 - 4551pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.5mΩ@10V,8mΩ@5V,8.5mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 146nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥7.1145
1,600+ :  ¥6.975
2,400+ :  ¥6.882
4,000+ :  ¥6.7425
8,000+ :  ¥6.51
170+ :  ¥20.2222
400+ :  ¥15.2046
800+ :  ¥12.4628
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF3205STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥7.1145 

阶梯数 价格
800: ¥7.1145
1,600: ¥6.975
2,400: ¥6.882
4,000: ¥6.7425
8,000: ¥6.51
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¥21.0935 

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BUK9608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9608-55A_SOT404

¥20.2222 

阶梯数 价格
170: ¥20.2222
400: ¥15.2046
800: ¥12.4628
0 对比

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