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IRF540ZPBF  与  IRF540NPBF  区别

型号 IRF540ZPBF IRF540NPBF
唯样编号 B-IRF540ZPBF A-IRF540NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 92 W 42 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB Single N-Channel 100 V 130 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 26.5mΩ@22A,10V 44mΩ@16A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 92W(Tc) 130W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 36A 33A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V 1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 71nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1770pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 42 - 126天 3 - 5天
单价(含税)
50+ :  ¥5.2735
200+ :  ¥5.0745
1,000+ :  ¥4.8258
2,000+ :  ¥4.7263
6,250+ :  ¥4.4278
暂无价格
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TO-220AB

¥5.2735 

阶梯数 价格
50: ¥5.2735
200: ¥5.0745
1,000: ¥4.8258
2,000: ¥4.7263
6,250: ¥4.4278
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