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IRF7490TRPBF  与  RS6P060BHTB1  区别

型号 IRF7490TRPBF RS6P060BHTB1
唯样编号 B-IRF7490TRPBF-1 A3-RS6P060BHTB1
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 60A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 39mΩ@3.2A,10V 10.6mΩ@60A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 73W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150℃
连续漏极电流Id 5.4A 60A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1720pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1720pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 42 - 126天 3 - 15天
单价(含税)
4,000+ :  ¥3.813
8,000+ :  ¥3.72
12,000+ :  ¥3.6735
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7490TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.813 

阶梯数 价格
4,000: ¥3.813
8,000: ¥3.72
12,000: ¥3.6735
0 当前型号
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥13.2013 

阶梯数 价格
1: ¥13.2013
100: ¥6.6007
100 对比
RS6P060BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥19.6519 

阶梯数 价格
1: ¥19.6519
100: ¥9.8259
97 对比

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