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IRF7853TRPBF  与  FDS86140  区别

型号 IRF7853TRPBF FDS86140
唯样编号 B-IRF7853TRPBF-2 A-FDS86140
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ@8.3A,10V 9.8m Ohms@11.2A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta),5W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.3A 11.2A
系列 HEXFET® PowerTrench®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 25V 2580pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V 41nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1640pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥5.208
8,000+ :  ¥5.0685
暂无价格
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