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IRF8788TRPBF  与  BSO033N03MSGXUMA1  区别

型号 IRF8788TRPBF BSO033N03MSGXUMA1
唯样编号 B-IRF8788TRPBF-1 A-BSO033N03MSGXUMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 44 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ@24A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 9600pF @ 15V
栅极电压Vgs ±20V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 24A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 124nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.3 毫欧 @ 22A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5720pF @ 15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5720pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 4.5V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
4,000+ :  ¥5.0248
8,000+ :  ¥4.8258
暂无价格
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