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IRFB3207PBF  与  STP140NF75  区别

型号 IRFB3207PBF STP140NF75
唯样编号 B-IRFB3207PBF-2 A-STP140NF75
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 260 nC 300 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3 N-Channel 75 V 7.5 mO Flange Mount STripFET™III Power MosFet - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.5mΩ@75A,10V 7.5mΩ@70A,10V
漏源极电压Vds 75V 75V
Pd-功率耗散(Max) 330W(Tc) 310W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 170A 120A
系列 HEXFET® STripFET™ III
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V 5000pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V 218nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7600pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 260nC @ 10V -
库存与单价
库存 8,650 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥13.95
200+ :  ¥13.578
750+ :  ¥13.206
1,500+ :  ¥13.02
3,750+ :  ¥12.555
暂无价格
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