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IRFB3306PBF  与  STP160N75F3  区别

型号 IRFB3306PBF STP160N75F3
唯样编号 B-IRFB3306PBF-2 A3-STP160N75F3
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@75A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220AB TO-220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -
连续漏极电流Id 160A -
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4520pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC -
库存与单价
库存 10,000 2,600
工厂交货期 21 - 42天 5 - 7天
单价(含税)
50+ :  ¥7.6725
200+ :  ¥7.347
750+ :  ¥7.0215
2,000+ :  ¥6.789
5,000+ :  ¥6.4635
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3306PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥7.6725 

阶梯数 价格
50: ¥7.6725
200: ¥7.347
750: ¥7.0215
2,000: ¥6.789
5,000: ¥6.4635
10,000 当前型号
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