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IRFB4020PBF  与  IRFB23N20DPBF  区别

型号 IRFB4020PBF IRFB23N20DPBF
唯样编号 B-IRFB4020PBF-1 A3-IRFB23N20DPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 3.8 W 57 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@11A,10V 100mΩ
上升时间 - 32ns
Qg-栅极电荷 - 57nC
栅极电压Vgs ±20V 30V
正向跨导 - 最小值 - 13S
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 18A 24A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 16ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1960pF @ 25V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 100W(Tc) 170W
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - HEXFET®
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.9V @ 100µA 5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 50V 1960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V 86nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 14ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 86nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥8.277
200+ :  ¥7.905
750+ :  ¥7.5795
2,000+ :  ¥7.347
5,000+ :  ¥6.975
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB4020PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥8.277 

阶梯数 价格
50: ¥8.277
200: ¥7.905
750: ¥7.5795
2,000: ¥7.347
5,000: ¥6.975
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