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IRFB4410ZPBF  与  IRFB4410PBF  区别

型号 IRFB4410ZPBF IRFB4410PBF
唯样编号 B-IRFB4410ZPBF-2 A-IRFB4410PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 9 mO 83 nC Flange Mount Hexfet Power Mosfet - TO-220AB Single N-Channel 100 V 200 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9mΩ@58A,10V 10mΩ@58A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 230W(Tc) 200W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-220AB
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 97A 88A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V 5150pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 180nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4820pF @ 50V 5150pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 120nC @ 10V 180nC @ 10V
库存与单价
库存 50 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥6.696
200+ :  ¥6.3705
750+ :  ¥6.0915
2,000+ :  ¥5.9055
5,000+ :  ¥5.6265
暂无价格
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