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IRFP4227PBF  与  IRFP250NPBF  区别

型号 IRFP4227PBF IRFP250NPBF
唯样编号 B-IRFP4227PBF-1 A-IRFP250NPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 330 W 70 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC Single N-Channel 200 V 214 W 123 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5.31mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 25mΩ 75mΩ@18A,10V
上升时间 20ns -
Qg-栅极电荷 70nC -
栅极电压Vgs 30V ±20V
正向跨导 - 最小值 49S -
封装/外壳 TO-247AC TO-247AC
工作温度 -40°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 65A 30A
配置 Single -
长度 15.87mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 31ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V 2159pF @ 25V
高度 20.7mm -
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 330W 214W(Tc)
典型关闭延迟时间 21ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® HEXFET®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 25V 2159pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V 123nC @ 10V
典型接通延迟时间 33ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 98nC @ 10V 123nC @ 10V
库存与单价
库存 20,350 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
25+ :  ¥19.158
100+ :  ¥18.6
375+ :  ¥18.042
750+ :  ¥17.763
1,875+ :  ¥17.112
暂无价格
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¥19.158 

阶梯数 价格
25: ¥19.158
100: ¥18.6
375: ¥18.042
750: ¥17.763
1,875: ¥17.112
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