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IRFS38N20DTRLP  与  PSMN057-200B,118  区别

型号 IRFS38N20DTRLP PSMN057-200B,118
唯样编号 B-IRFS38N20DTRLP-2 A-PSMN057-200B,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 200 V 0.054 Ohm 91 nC 3.8 W Silicon SMT Mosfet - TO-263-3 MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 54mΩ@26A,10V 57mΩ@17A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),300W(Tc) 250W
输出电容 - 385pF
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 38A 39A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 25V -
输入电容 - 3750pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC -
库存与单价
库存 0 18
工厂交货期 42 - 126天 3 - 5天
单价(含税)
800+ :  ¥15.159
1,600+ :  ¥14.973
2,400+ :  ¥14.787
3,200+ :  ¥14.694
4,000+ :  ¥14.415
10+ :  ¥19.985
100+ :  ¥14.8037
400+ :  ¥12.5455
800+ :  ¥11.5096
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS38N20DTRLP Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥15.159 

阶梯数 价格
800: ¥15.159
1,600: ¥14.973
2,400: ¥14.787
3,200: ¥14.694
4,000: ¥14.415
0 当前型号
PSMN057-200B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN057-200B_SOT404

¥19.985 

阶梯数 价格
10: ¥19.985
100: ¥14.8037
400: ¥12.5455
800: ¥11.5096
18 对比
IRFS38N20DTRRP Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

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