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IRFS7530TRL7PP  与  IRFS7530-7PPBF  区别

型号 IRFS7530TRL7PP IRFS7530-7PPBF
唯样编号 B-IRFS7530TRL7PP-1 A-IRFS7530-7PPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N Channel 60 V 1.4 mOhm 375 W Surface Mount HexFet Power MosFet - D2PAK-7
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ@100A,10V 1.4mΩ@100A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 375W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK(7-Lead)
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 338A 338A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ HEXFET®,StrongIRFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 12960pF @ 25V 12960pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 354nC @ 10V 354nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.7V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 12960pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 354nC @ 10V
库存与单价
库存 44,800 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥17.0145
1,600+ :  ¥16.8155
2,400+ :  ¥16.517
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS7530TRL7PP Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥17.0145 

阶梯数 价格
800: ¥17.0145
1,600: ¥16.8155
2,400: ¥16.517
44,800 当前型号
IRFS7530-7PPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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