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IRFZ34NSTRLPBF  与  PHB32N06LT,118  区别

型号 IRFZ34NSTRLPBF PHB32N06LT,118
唯样编号 B-IRFZ34NSTRLPBF-2 A-PHB32N06LT,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@16A,10V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.8W(Ta),68W(Tc) 97W
输出电容 - 160pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 29A 34A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
输入电容 - 920pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 40mΩ@5V,37mΩ@10V,43mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 700pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V -
库存与单价
库存 800 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥5.6265
1,600+ :  ¥5.487
3,200+ :  ¥5.394
4,000+ :  ¥5.3475
12,000+ :  ¥5.115
210+ :  ¥5.7323
400+ :  ¥4.8579
800+ :  ¥4.4568
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFZ34NSTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥5.6265 

阶梯数 价格
800: ¥5.6265
1,600: ¥5.487
3,200: ¥5.394
4,000: ¥5.3475
12,000: ¥5.115
800 当前型号
STB36NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 1,000 对比
PHB32N06LT,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PHB32N06LT_SOT404

¥5.7323 

阶梯数 价格
210: ¥5.7323
400: ¥4.8579
800: ¥4.4568
0 对比
BUK7635-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7635-55A_SOT404

¥10.5468 

阶梯数 价格
180: ¥10.5468
400: ¥8.2397
800: ¥6.7538
0 对比
STB36NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
IRFZ34NSTRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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