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IXYR50N120C3D1  与  IKW25N120H3  区别

型号 IXYR50N120C3D1 IKW25N120H3
唯样编号 B-IXYR50N120C3D1 A3-IKW25N120H3
制造商 IXYS Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 通用MOSFET IGBT
描述 GenX3™ XPT™ IGBT 1200 V 56 A Through Hole High-Speed IGBT - ISOPLUS247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 326W
脉冲电流 - 集电极 (Icm) - 100A
反向恢复时间(trr) - 290ns
输入类型 - 标准
IGBT 类型 - 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) - 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 50A
封装/外壳 TO-247-3 PG-TO247-3
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) - 2.4V @ 15V,25A
工作温度 - -40°C ~ 175°C(TJ)
系列 - TrenchStop®
开关能量 - 2.65mJ
测试条件 - 600V,25A,23 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值 - 27ns/277ns
库存与单价
库存 0 240
工厂交货期 42 - 126天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥121.2905
60+ :  ¥120.6935
120+ :  ¥119.997
150+ :  ¥119.798
450+ :  ¥118.604
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IXYR50N120C3D1 IXYS  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥121.2905 

阶梯数 价格
30: ¥121.2905
60: ¥120.6935
120: ¥119.997
150: ¥119.798
450: ¥118.604
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