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ZXMN6A25GTA  与  STN3NF06L  区别

型号 ZXMN6A25GTA STN3NF06L
唯样编号 C-ZXMN6A25GTA A3-STN3NF06L
制造商 Diodes Incorporated STMicroelectronics
供应商 海外代购M 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 100mΩ@1.5A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 3.3W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1063 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 20.4 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-223-3 SOT-223
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4.8A(Ta) 4A
系列 - STripFET™ II
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.8V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
库存与单价
库存 18,186 4,000
工厂交货期 21 - 42天 5 - 7天
单价(含税)
1+ :  ¥9.7354
10+ :  ¥8.4837
100+ :  ¥6.6108
500+ :  ¥5.5075
1,000+ :  ¥4.5153
2,000+ :  ¥4.2186
5,000+ :  ¥4.0054
10,000+ :  ¥3.8571
暂无价格
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ZXMN6A25GTA Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223-3

¥9.7354 

阶梯数 价格
1: ¥9.7354
10: ¥8.4837
100: ¥6.6108
500: ¥5.5075
1,000: ¥4.5153
2,000: ¥4.2186
5,000: ¥4.0054
10,000: ¥3.8571
18,186 当前型号
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