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RQ3L050GNTB  与  DMN6069SFG-7  区别

型号 RQ3L050GNTB DMN6069SFG-7
唯样编号 E-RQ3L050GNTB A3-DMN6069SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 欧时电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 61mΩ@5A,10V 63mΩ
上升时间 - 5ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 14.8W(Tc) 930mW
Qg-栅极电荷 - 14nC
栅极电压Vgs ±20V 1V
典型关闭延迟时间 - 12ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN
连续漏极电流Id 12A(Tc) 18A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - DMN6069
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1480pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 25nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 3.3ns
典型接通延迟时间 - 3.6ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 42 - 126天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥3.654
50+ :  ¥3.4707
100+ :  ¥3.3141
500+ :  ¥3.1819
1,000+ :  ¥3.0833
暂无价格
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